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- 硅片甩干机厂家简述半导体硅中杂质对性能的影响
- 点击次数：1613 更新时间：2016-09-19
- 硅片甩干机厂家解释在形态上，直拉单晶硅形状一般为圆柱形，而铸造多晶硅一般铸造成硅锭，为方形。在质量上由于单晶的工艺要求较高，其纯度一般要求在六个九以上；而相对的，铸造多晶硅的纯度要求相对较低。在能耗上，单晶由于有拉晶的过程，相对能耗远大于铸造多晶硅。而在晶体形状上，单晶硅的形状比较规则，其中晶体的缺陷明显较少，而多晶硅只满足短程有序，其形状规则性较差。本征半导体Si、Ge等的四个价电子，与另四个原子构成四个共价键，硅片甩干机厂家说明当掺入少量的五价原子（如P、As）时，就形成了n型半导体，由量子力学知识可知，这种掺杂后多余的电子的能级在禁带中紧靠空带处，DED～10-2eV，极易形成电子导电。则半导体中的电子变为主要载流子，在室温下，除了本征激发之外还受到杂质电离的影响，载流子浓度增加，使半导体的电导率上升；而当掺入的杂质为三价原子时（如B、Ga、In等），多余的空穴的能级在禁带中紧靠满带处，DED～10-2eV，极易形成空穴导电，空穴为其主要载流子，与N型材料类似的，在室温下，由于杂志电离效果的存在，掺杂后的半导体硅的载流子浓度增大，电导率增大。