硅片甩干机的Si片内部的原子排列整齐有序,每个Si原子的4个价电子与周围原子的价电子结合构成共价键结构。但是经过切割工序后,Si片表面垂直切片方向的共价键遭到破坏而成为悬空键，这种不饱和键处于不稳定状态,具有可以俘获电子或其他原子的能力,以减低表面能,达到稳定状态。

 

　　当周围环境中的原子或分子趋近晶片表面时,受到表面原子的吸引力,容易被拉到表面,在Si晶片表面富集,形成吸附,从而造成污染。理想表面实际是不存在的,实际的Si片表面一般包括三个薄层:加工应变层、氧化层和吸附层,在这三层下面才是真正意义上的晶体Si。

 

　　对于太阳能用Si片来说,加工应变层是指在线切工艺时所产生的应变区,氧化层指新切出的表面与大气接触造成的氧化薄膜,厚度在几纳米到几十纳米之间,和留置在空气中的时间有关,这也是切割后的Si片如果不能马上进入下一工序,要尽快浸泡到纯水中的原因。硅片甩干机的Si片表面zui外层即为吸附层,是氧化层与环境气氛的界面,吸附一些污染杂质。这些沾污可以分为分子、离子、原子或者分为有机杂质、金属和粒子。